NBTI效应

NBTI来自效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而帝且给万审背口引起的一系列电360百科学参数的退化(一般应力条件为125℃恒温下栅氧电场 ，源、漏极和衬底接地)。

• 中文名称 NBTI效应
• 外文名称 NBTI
• 发生条件 125℃恒温
• 电路要求 晶体
• 器件要求 阈值电压负向漂移

　　负来自偏压温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)

基本概念和机理

　　NBTI效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化(一般360百科应力条件为125℃恒温下栅氧电场 ，源、漏极和衬底接地)。

　　NBTI效应的产生过程主季维个充远治响抓要涉及正电荷的产生和钝化，即界面陷阱电荷 和论了求氧化层固定正电荷 的产生以及扩散物质的扩散过程，之刑化态氢气和水汽是引起王史住NBTI的两种主要物质。传统的R-D模型将NBTI产生的原因归结于pMOS管在边高温负栅压下反型层的空穴受到热激发，隧穿到硅/二氧化硅界面，由于在 界面存在大量的Si-H键，热激发的空穴与Si-H键作用生成H原子，从而在 界面留下悬挂键，而由于H原子的不稳定性，两个H原子就会结合，以氢气分子的形式释放，远离 界面向 /栅界面扩散，从而引起阈值电压的负向漂移。

NBT脱阶验双紧势I效应的影响

对器件

　　a.pMOS器件会出现栅电流增大

　　b.阈值电压负向漂移

　　c.亚阈值斜率减小

　关鸡传演住调盾　d.跨导和漏电流变小 等

对电路

　　a.在模拟电路中引起晶体管夜亮挥间失配

　　b.在数字电路井罪慢巴养笔中导致时序漂移、噪声容限缩小，甚至产品失效